《科创板日报》5月29日讯 5月27日上午10点，中微公司举行2024年度暨2025年第一季度业绩说明会。
会后，中微公司董事长、总经理尹志尧接受了投资者提问及媒体专访，对中微公司未来5到10年的产品战略、人才团队建设及接班人培养、产业突破封锁路径及前景等话题进行了解答。
聚焦主业：刻蚀、薄膜设备订单快速起量
等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除了光刻机以外非常重要、也是市场空间广阔的关键设备。 “这是因为刻蚀需要几百种不同材料，精雕细琢刻成各种不同形状，CCP（高能等离子体刻蚀机）跟ICP（低能等离子体刻蚀机）设备加起来大概有300多种不同的应用。”
“尤其是在芯片工艺从2D到3D发展，以及10nm以下的制程升级，刻蚀跟薄膜的应用总量跟步骤数大大增加，近年市场体量的增长很快。”中微公司董事长、总经理尹志尧在5月27日举行的业绩说明会上介绍称。
从2019年至2024年，中微公司的等离子体刻蚀设备收入以年均超过50%的速度快速成长。其中，中微公司CCP设备做了20年、ICP不到10年，但ICP设备近两年连续以超过100%的速度实现增长，二者的订单体量如今已经十分接近。
在过去的20年间，中微公司共计开发了3代、18款刻蚀机，产品开发节奏不断加快，并且应用于主流客户及产品市场。
中微公司在业绩说明会上展示的刻蚀机产品序列豌豆财富
尹志尧表示，“可以很自豪地讲，在等离子体刻蚀领域，我们基本可以全面覆盖（不同应用），包括成熟及先进逻辑器件、闪存、动态存储器、特殊器件等，并且已经有95%到99%的应用都有了批量生产的数据或客户认证的数据。”
工艺精度上，中微公司ICP刻蚀机Twin-star两台的加工精度已经进入皮米数量级，达到100皮米以下水平；双台刻蚀机实现原子、亚原子水平刻蚀控制，达到全球先进水平。目前业内量产所用刻蚀机的深宽比在60:1，中微公司正在突破90到100:1的深孔刻蚀。
以我国先进存储行业的应用为例，得益于高精度的设备工艺，中微公司产品为行业解决了其中5大最为关键的卡脖子设备。
除刻蚀设备外，中微公司自2010年开始不断开始扩大在薄膜设备领域的开发应用。开发策略是从MOCVD切入，到近几年开始集中力量开发LPCVD，接着做外延EPI设备、原子层沉积ALD设备，目前已经开始开发包括了PVD、ALD和LPCVD的大规模集成设备，并且也在利用新一代等离子体源开发PECVD设备。
据介绍，中微公司规划了近40种导体薄膜沉积设备的开发。其中9种设备已经完成开发，6款实现量产运转1年，今年计划将完成7种设备开发。
“我们很快将会把国际对国内禁运的20多种薄膜设备开发完成，预计到2029年完成所有开发”。尹志尧如是称。
中微公司设备产品在投入市场后迅速受到产业欢迎。据介绍，以LPCVD跟ALD钨金属沉积设备为例，近两年实现快速放量，2023年订单还只有1台，2024年就发货128台，到2025年预计将大幅增长。
“虽然公司薄膜设备现在的销售额还不到10亿，但相信3年到5年之内豌豆财富，预计至少成长到公司现在刻蚀设备一半的规模，达到同等数量级。”
详解平台化布局自研+外延同时发力
与国际领先的半导体设备公司发展战略一样，中微公司也在规划平台化布局。
据尹志尧介绍，目前中微可以覆盖30%的集成电路设备。而在今后五到十年内，中微公司将与合作伙伴共同覆盖60%的集成电路高端设备，包括刻蚀、薄膜及量检测的全部设备，以及一部分湿法设备，成为平台式的集团公司。
中微公司在业绩说明会上展示的产品规划
尹志尧表示， “中微公司从来都是有机生长（自研）跟外延扩张相结合。我们的基点在技术而不在并购，光靠并购做大的公司根基不稳，核心还是要增加自己的本事。”
以量检测设备为例，中微公司七、八年前就已经开始布局，其中电子束量检测设备事关国内产业的先进制程工艺开发，也是一大短板。据介绍，目前国内已经有多家公司做电子束检测，不过中微公司没有选择向外做并购，而是寻找全球该领域的顶级专家，自己组建团队，计划快速把电子束检测设备快速做起来。
在集成电路设备之外，中微公司刻蚀薄膜技术，还可向外扩展至6大类的泛半导体微观加工设备，包括平板显示设备、太阳能电池设备、发光二极管设备、微机电系统设备（MEMS）、功率器件及其他、3D先进封装及Chiplet。
据介绍，在宽禁带化合物半导体外延设备市场，中微公司开发了多种MOCVD设备。其中，碳化硅功率器件外延设备目前已经进入生产验证阶段，氮化镓Micro LED蓝绿光设备已经被核准并进入生产，氮化镓功率器件外延设备、砷化镓红黄光设备将在今年进入生产。
中微公司还在大平板设备方面进行了多年的研究开发。尹志尧表示，大平板设备体积较大，且设备开发成本昂贵，不适合中小规模的半导体设备公司开发，并且相关设备直至近两年才由于国际供应形势变化受到业内关注，算是从0起步。中微公司之所以选择做大平板设备，在于其薄膜、沉积、量检测技术环节都涉及新的技术工艺，包括玻璃基板、面板级先进封装开发等产业趋势以及智能玻璃等终端应用，“目前来看这一市场非常有前景”。
中微公司大平板显示PECVD等离子体加强的化学薄膜设备用时15个月完成开发，样机用时1年开始运行，用时3个月设备工艺达到LCD及OLED的量产指标。
在5月27日的业绩说明会后，尹志尧接受了多家投资机构及媒体的采访，分享了他在企业经营战略当中的经验和产业洞见。《科创板日报》整理了其中几条：
1.AI技术正在半导体设备的研发中体现出价值，中微公司走在行业之前，现在有一个将近50人的团队专门搞AI算法，并参与到半导体设备的研发设计中，形成了几十个案例，加快了开发进展。
2.半导体设备未来不能只靠一家公司。目前国内比较成熟的半导体设备公司正在快速发展，因为产品门类很多，现在的情况来看行业并不算“内卷”，但即使没有外力推动，未来产业的趋势也是向头部少数几家企业集中，中微公司希望成为其中之一。
3.国内大部分半导体设备公司还没有能力做自己的创新设计，开始学习的过程中模仿无可非议，但中微公司的产品从来都有自己的独特设计。
4.如果没有EUV，用DUV光刻机做到5nm没有问题，只是需要更多刻蚀薄膜的双重、多重曝光工艺环节，但到3nm能不能做还是个问号，对此我相信中国人的能力和志气。
5.如果光刻机不能很快解决的话，我们刻蚀薄膜的主业可以做的事情就是结合多重曝光的技术，把制程做小，这也是我们的责任。
6.并购政策推动下，这两年设备行业并购案例还不算多，可能在于政策还没有落到实处。建议提出并购方案的上市企业豌豆财富，可根据标的公司经营规划及业绩完成情况进行阶梯性的溢价收购，给予被并购公司在上市这条路径的至少50%回报，而且需要监管不追求商誉减值分析，才有更多公司愿意合起来干。
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